К серийному выпуску готова память в 20 раз быстрее флэш
16.03.2016, СР, 18:25, Мск ,
Текст: Сергей Попсулин
Китайский производитель полупроводников лицензировал технологию резистивной памяти со случайным доступом у калифорнийской компании. Резистивная память основана на мемристорах - элементах с переменным сопротивлением, которое меняется в зависимости от величины приложенного тока. Согласно предварительным тестам, новая технология в 20 раз быстрее флэш-памяти и в 10 раз долговечнее ее.
Соглашение о сотрудничестве
Китайская компания Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC), называющая себя одним из ведущих в мире производителей полупроводниковой продукции (пятое место в 2014 г., согласно Gartner), первой среди других заключила соглашение с американской Crossbar о лицензировании ее резистивной памяти с произвольным доступом (Resistive Random Access Memory — RRAM).
Согласно совместному заявлению, SMIC будет выпускать на базе 40-нм техпроцесса блоки RRAM под заказ для их последующей интеграции заказчиками в микроконтроллеры и «системы на чипе».
Как уверяют партнеры, заказчики легко с этим справятся. Дело в том, что ячейки RRAM интегрируются в стандартные CMOS-процессы между двумя металлическими полосками стандартной CMOS-подложки. Это позволяет помещать их на тот же кристалл, на котором находятся вычислительные ядра процессоров, аналоговые и RF-компоненты.
Партнеры рассчитывают, что RRAM найдет применение в устройствах интернета вещей, носимых и планшетных компьютерах, разнообразной потребительской, промышленной и автомобильной электронике.
Компании не уточнили, удалось ли им найти первых заказчиков.
Память RRAM от Crossbar под микроскопом
История памяти RRAM
Идею RRAM еще в 1971 г. подал профессор Калифорнийского университета в Беркли Леон Чуа (Leon Chua). Он изобрел мемристор и предложил сделать его четвертым элементом электрической схемы — в дополнение к резистору, катушке индуктивности и конденсатору.
В 2008 г. исследователи из HP Labs сообщили о состоятельности теории Чуа, доказав ее математическим способом и построив первый мемристор в своей лаборатории. «Мы разгадали загадку десятилетий. Мемристор действительно существует», — заявили тогда в компании.
Hewlett-Packard дала памяти, состоящей из мемристоров, название ReRAM (Resistive Random Access Memory — резистивная память со случайным доступом).
Память Crossbar
В 2013 г. о себе заявила калифорнийская компания Crossbar. Она представила собственную резистивную память, основанную на тех же мемристорах, но придумала для нее несколько иную аббревиатуру — RRAM.
В памяти Crossbar изменение величины сопротивления ячейки выполняется путем обратимого формирования токопроводящих нитей из атомов серебра в аморфном кремнии.
В компании заявили, что память RRAM позволяет вместить 1 ТБ данных в чип площадью 200 кв. мм, что сопоставимо с почтовой маркой; что она работает в 20 раз быстрее по сравнению с NAND-памятью в том, что касается записи данных, и обладает в 10 раз большим сроком службы.
Еще одно открытие
В 2010 г. исследователи HP Labs обнаружили, что мемристоры способны не только хранить данные, но и совершать логические операции. Это позволяет верить, что устройства, созданные на их основе, могут изменить сложившуюся парадигму обработки данных при помощи отдельного центрального процессора, позволив в будущем выполнять аналогичные операции прямо на чипах, хранящих информацию.
Сам изобретатель мемристоров Леон Чуа заявил, что их функционирование сходно с биологическим мозгом. «Наши мозги созданы из мемристоров. Теперь у нас есть элементы для создания искусственного мозга», - сказал Чуа после того, как совершил открытие.
